SIR846DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR846DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1375 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR846DP datasheet

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SIR846DP

New Product SiR846DP Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0078 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET 100 35.7 nC 0.0085 at VGS = 7.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK

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SIR846DP

SiR846ADP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0078 at VGS = 10 V 60 Material categorization 0.0085 at VGS = 7.5 V For definitions of compliance please see 100 60 26.7 nC www.vishay.com/doc?99912 0.0095 at VGS = 6 V 60 APPLICATIONS

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SIR846DP

New Product SiR844DP Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0028 at VGS = 10 V 50a, g TrenchFET Power MOSFET 25 29.5 nC 0.0038 at VGS = 4.5 V New MOSFET Technology Optimized for 50a, g Ringing Reduction in Switching Applications PowerPAK

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