SIR846DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIR846DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1375 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIR846DP

SIR846DP Datasheet (PDF)

..1. Size:92K vishay
sir846dp.pdf

New ProductSiR846DPVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition 0.0078 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET100 35.7 nC0.0085 at VGS = 7.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK

8.1. Size:176K vishay
sir846adp.pdf

SiR846ADPVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0078 at VGS = 10 V 60 Material categorization:0.0085 at VGS = 7.5 V For definitions of compliance please see100 60 26.7 nCwww.vishay.com/doc?999120.0095 at VGS = 6 V 60APPLICATIONS

9.1. Size:121K vishay
sir844dp.pdf

New ProductSiR844DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0028 at VGS = 10 V 50a, g TrenchFET Power MOSFET25 29.5 nC0.0038 at VGS = 4.5 V New MOSFET Technology Optimized for 50a, gRinging Reduction in Switching ApplicationsPowerPAK

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Liste

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