SIR862DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR862DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 890 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de SIR862DP MOSFET
SIR862DP datasheet
sir862dp.pdf
New Product SiR862DP Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.0028 at VGS = 10 V 50 25 28.4 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0035 at VGS = 4.5 V 50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 APPLICAT
sir866dp.pdf
SiR866DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET RoHS 0.0019 at VGS = 10 V 60g Low RDS(on) COMPLIANT 20 35.3 nC 0.00255 at VGS = 4.5 V PWM (Qgd and Rg) Optimized 60g 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS
sir864dp.pdf
New Product SiR864DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0036 at VGS = 10 V 40g TrenchFET Power MOSFET 30 20 nC 0.0045 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC A
Otros transistores... SIR826ADP , SIR826DP , SIR836DP , SIR838DP , SIR844DP , SIR846ADP , SIR846DP , SIR850DP , 20N50 , SIR864DP , SIR866DP , SIR870ADP , SIR870DP , SIR872ADP , SIR872DP , SIR874DP , SIR876ADP .
History: IRFPE50PBF
History: IRFPE50PBF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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