SIR866DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR866DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR866DP datasheet

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SIR866DP

SiR866DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET RoHS 0.0019 at VGS = 10 V 60g Low RDS(on) COMPLIANT 20 35.3 nC 0.00255 at VGS = 4.5 V PWM (Qgd and Rg) Optimized 60g 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS

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SIR866DP

New Product SiR864DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0036 at VGS = 10 V 40g TrenchFET Power MOSFET 30 20 nC 0.0045 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC A

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SIR866DP

New Product SiR862DP Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.0028 at VGS = 10 V 50 25 28.4 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0035 at VGS = 4.5 V 50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 APPLICAT

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