SIR866DP Todos los transistores

 

SIR866DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR866DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIR866DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  vishay
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SIR866DP

SiR866DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFETRoHS0.0019 at VGS = 10 V 60g Low RDS(on)COMPLIANT 20 35.3 nC0.00255 at VGS = 4.5 V PWM (Qgd and Rg) Optimized60g 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS

 9.1. Size:477K  vishay
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SIR866DP

New ProductSiR864DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0036 at VGS = 10 V 40g TrenchFET Power MOSFET30 20 nC0.0045 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECA

 9.2. Size:324K  vishay
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SIR866DP

New ProductSiR862DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.0028 at VGS = 10 V 5025 28.4 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0035 at VGS = 4.5 V 50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8 APPLICAT

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History: FCP150N65F

 

 
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