APT19M120J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APT19M120J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 545 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 715 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.53 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-227

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APT19M120J

APT19M120J Datasheet (PDF)

..1. Size:122K microsemi
apt19m120j.pdf

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9.1. Size:213K microsemi
apt19f100j.pdf

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History: AUIRFN8405TR

Liste

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