RF1S40N10SM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RF1S40N10SM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263AB

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RF1S40N10SM Datasheet (PDF)

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rf1s40n10.pdf

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5.2. Size:369K fairchild semi
rfg40n10 rfp40n10 rf1s40n10-sm.pdf

5.3. Size:410K intersil
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RFG40N10LE, RFP40N10LE, RF1S40N10LESMData Sheet October 1999 File Number 4061.540A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level FeaturesN-Channel Power MOSFETs 40A, 100VThese N-Channel enhancement mode power MOSFETs are rDS(ON) = 0.040manufactured using the latest manufacturing process Temperature Compensating PSPICE Modeltechnology. This process, which uses feature sizesappr

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Liste

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