APT39F60J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APT39F60J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1040 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-227

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APT39F60J

APT39F60J Datasheet (PDF)

..1. Size:214K microsemi
apt39f60j.pdf

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9.1. Size:127K microsemi
apt39m60j.pdf

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Liste

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