APT53N60SC6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APT53N60SC6
   Tipo de FET: MOFETS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 154 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3545 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: D3PAK

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APT53N60SC6 Datasheet (PDF)

..1. Size:149K microsemi
apt53n60bc6 apt53n60sc6.pdf

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6.1. Size:376K inchange semiconductor
apt53n60bc6.pdf

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9.1. Size:210K microsemi
apt53f80j.pdf

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Liste

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