APT904R2AN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT904R2AN 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Encapsulados: TO-3
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APT904R2AN datasheet
apt904r2an apt904ran.pdf
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: 2N60G-T60-K | IRFB3806 | IRFH8318PBF
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Liste
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