APT904RAN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT904RAN 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Encapsulados: TO-3
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de APT904RAN MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
APT904RAN datasheet
apt904r2an apt904ran.pdf
"APT1004R2AN" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "APT1004R2AN" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
Otros transistores... APT901R3AN, APT901R3BN, APT901R3HN, APT901RBN, APT902R4BN, APT902RBN, APT904R2AN, APT904R2BN, NCEP15T14, APT904RBN, APT94N60L2C3G, APT94N65B2C3G, APT94N65B2C6, APT94N65LC6, APT97N65B2C6, APT97N65LC6, APT9F100B
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: SDF18N50 | 2SJ439 | NTB150N65S3HF | STE180N10 | QM2410V | DHISJ13N65 | AGM056N10A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet
