APTC60HM45SCTG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APTC60HM45SCTG 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: MODULE

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

APTC60HM45SCTG datasheet

..1. Size:236K microsemi
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APTC60HM45SCTG Full - Bridge VDSS = 600V Series & SiC parallel diodes RDSon = 45m max @ Tj = 25 C Super Junction ID = 49A @ Tc = 25 C MOSFET Power Module Application Motor control VBUS Switched Mode Power Supplies CR1A CR3A Uninterruptible Power Supplies Features CR1B CR3B Q1 Q3 G3 G1 - Ultra low RDSon OUT1 OUT2 S3 S1 - Low Miller capacit

6.1. Size:704K microsemi
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APTC60HM70SCTG VDSS = 600V Full Bridge Series & SiC parallel diodes Super Junction RDSon = 70m max @ Tj = 25 C MOSFET Power Module ID = 39A @ Tc = 25 C Application VBUS Motor control CR1A CR3A Switched Mode Power Supplies Uninterruptible Power Supplies CR1B CR3B Q1 Q3 Features CoolMOS G3 G1 - Ultra low RDSon OUT1 OUT2 S3 S1 - Low Mil

8.1. Size:249K microsemi
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