APTC80H29SCTG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APTC80H29SCTG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 91 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1046 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APTC80H29SCTG

APTC80H29SCTG Datasheet (PDF)

..1. Size:311K microsemi
aptc80h29sctg.pdf

APTC80H29SCTG Full - Bridge VDSS = 800V Series & SiC parallel diodes RDSon = 290m max @ Tj = 25C Super Junction ID = 15A @ Tc = 25C MOSFET Power Module Application Motor control VBUS Switched Mode Power Supplies Uninterruptible Power Supplies CR1A CR3AFeatures CR1B CR3BQ1 Q3 G1 G3- Ultra low RDSon OUT1 OUT2S1 S3- Low Miller capac

8.1. Size:309K microsemi
aptc80a15sctg.pdf

APTC80A15SCTG Phase leg VDSS = 800V Serie & SiC parallel diodes RDSon = 150m max @ Tj = 25C Super Junction ID = 28A @ Tc = 25C MOSFET Power Module Application Motor control Switched Mode Power Supplies NT C2 Uninterruptible Power Supplies VBUSFeatures Q1 - Ultra low RDSon G1OUT- Low Miller capacitance - Ultra low gate charge S1

8.2. Size:308K microsemi
aptc80a10sctg.pdf

APTC80A10SCTG Phase leg VDSS = 800V Series & SiC parallel diodes RDSon = 100m max @ Tj = 25C Super Junction ID = 42A @ Tc = 25C MOSFET Power Module Application Motor control Switched Mode Power Supplies NTC2 Uninterruptible Power Supplies VBUSFeatures Q1 - Ultra low RDSon G1- Low Miller capacitance OUT- Ultra low gate charge S1

8.3. Size:298K microsemi
aptc80am75scg.pdf

APTC80AM75SCG Phase leg VDSS = 800V Series & SiC parallel diodes RDSon = 75m max @ Tj = 25C Super Junction ID = 56A @ Tc = 25C MOSFET Power Module Application Motor control VBUS Switched Mode Power Supplies Uninterruptible Power Supplies Q1Features G1 OUT- Ultra low RDSon S1- Low Miller capacitance - Ultra low gate charge Q2- A

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: EMFA0P02J

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: