ATP401 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ATP401
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 580 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
Encapsulados: ATPAK
Búsqueda de reemplazo de ATP401 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
ATP401 datasheet
atp401.pdf
Ordering number ENA2167 ATP401 N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 100A, 3.7m , ATPAK Features ON-resistance RDS(on)1=2.8m (typ) Input Capasitance Ciss=17000pF(typ) 4.5V Drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V Gate-to-Source Vo
atp404.pdf
ATP404 Ordering number ENA1405A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP404 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=5.5m (typ.) Input capacitance Ciss=6400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Dra
atp405.pdf
ATP405 Ordering number ENA1458A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP405 Applications Features ON-resistance RDS(on)=25m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-
atp405.pdf
Ordering number ENA1458A ATP405 N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 100V, 40A, 33m , ATPAK Features ON-resistance RDS(on)=25m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 100 V Gate-to-Source Vo
Otros transistores... APTM100UM65SCAVG , APTM120DA30CT1G , APTM120U10SCAVG , APTM50AM24SCG , APTM50AM38SCTG , APTM50DAM38CTG , APTM50HM75SCTG , ATP304 , AO4468 , 2N5670 , 2SK2255-01MR , 7N10L-AA3 , 7N10G-AA3 , 7N10L-TN3 , 7N10G-TN3 , AO4466L , AOD4144 .
History: IRF7311 | IRF9910 | IXFP22N65X2M
History: IRF7311 | IRF9910 | IXFP22N65X2M
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor
