HY1506B Todos los transistores

 

HY1506B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY1506B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 666 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de HY1506B MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HY1506B datasheet

 8.1. Size:424K  1
hy1506c2.pdf pdf_icon

HY1506B

HY1506C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/48A D D D D D D D D RDS(ON)= 10.5m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 12.2m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application

 8.2. Size:424K  hymexa
hy1506c2.pdf pdf_icon

HY1506B

HY1506C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/48A D D D D D D D D RDS(ON)= 10.5m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 12.2m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application

 8.3. Size:580K  hymexa
hy1506.pdf pdf_icon

HY1506B

HY1506P/I/B Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25 C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range -55 to 175 C IS Diode Continuous Forward Current TC=25 C 55 A Mounted on Large Heat Sink IDM TC=25 C 220** A Pulsed Drain C

Otros transistores... 7N10G-TN3 , AO4466L , AOD4144 , CS60N06C4 , EMB20P03V , FTW20N50A , HY1506P , HY1506I , IRLZ44N , JCS18N50WH , ME04N25 , ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 , RCD051N20 , RCD075N19 .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA

 

 

 

Popular searches

ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet

 

 

↑ Back to Top
.