RCJ081N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RCJ081N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.77 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-83

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RCJ081N20

RCJ081N20 Datasheet (PDF)

..1. Size:437K rohm
rcj081n20.pdf

RCJ081N20 Nch 200V 8.0A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS200V LPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)770mWID8.0A(1) PD40W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche

..2. Size:254K inchange semiconductor
rcj081n20.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor RCJ081N20FEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.77(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

9.1. Size:439K rohm
rcj080n25.pdf

RCJ080N25 Nch 250V 8.0A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS250V LPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)600mWID8.0A(1) PD35W (3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche t

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: