RCX511N25 Todos los transistores

 

RCX511N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RCX511N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FM
 

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RCX511N25 datasheet

 ..1. Size:411K  rohm
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RCX511N25

RCX511N25 Nch 250V 51A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 250V TO-220FM RDS(on) (Max.) 65mW ID 51A (3) PD 40W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche tested lPac

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
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RCX511N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX511N25 FEATURES Drain Current I = 51A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 65m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 9.1. Size:134K  rohm
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RCX511N25

PRODUCTS TYPE PAGE TO-220FM RCX510N25 1/4 1.TYPE RCX510N25 2.STRUCTURE SILICON N-CHANNEL MOS FET 3.APPLICATIONS SWITCHING 4.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS [Ta=25 ] DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDSS 250V GATE-SOURCE VOLTAGE VGSS 30V DRAIN CURRENT CONTINUOUS 51A* ID PULSED 204A* IDP PW 10 s DUTY CYCLE 1% SOURCE CURRENT CONT

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