RCX511N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCX511N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 51 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 120 nC

Tiempo de elevación (tr): 300 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 350 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.065 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220FM

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RCX511N25 Datasheet (PDF)

1.1. rcx511n25.pdf Size:411K _update-mosfet

RCX511N25 Nch 250V 51A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 250V TO-220FM RDS(on) (Max.) 65mW ID 51A (3) PD 40W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche tested lPac

5.1. rcx510n25.pdf Size:134K _update-mosfet

PRODUCTS TYPE PAGE TO-220FM RCX510N25 1/4 1.TYPE RCX510N25 2.STRUCTURE SILICON N-CHANNEL MOS FET 3.APPLICATIONS SWITCHING 4.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS [Ta=25℃] DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDSS ・・・ 250V GATE-SOURCE VOLTAGE VGSS ・・・ ±30V DRAIN CURRENT CONTINUOUS ・・・ ±51A* ID PULSED ・・・ ±204A* IDP PW≦10μs DUTY CYCLE≦1% SOURCE CURRENT CONT

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Liste

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