RCX511N25 Todos los transistores

 

RCX511N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RCX511N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FM
 

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RCX511N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  rohm
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RCX511N25

RCX511N25 Nch 250V 51A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS250V TO-220FMRDS(on) (Max.)65mWID51A(3) PD40W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche testedlPac

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
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RCX511N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX511N25FEATURESDrain Current I = 51A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 65m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 9.1. Size:134K  rohm
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RCX511N25

PRODUCTS TYPE PAGE TO-220FM RCX510N25 1/4 1.TYPE RCX510N25 2.STRUCTURE SILICON N-CHANNEL MOS FET 3.APPLICATIONS SWITCHING 4.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS [Ta=25] DRAIN-SOURCE VOLTAGEVDSS 250V GATE-SOURCE VOLTAGEVGSS 30V DRAIN CURRENT CONTINUOUS 51A* ID PULSED 204A* IDP PW10s DUTY CYCLE1% SOURCE CURRENT CONT

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History: ISCNH340B

 

 
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