R6004ENJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R6004ENJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.98 Ohm
Encapsulados: SC-83
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R6004ENJ datasheet
r6004enj.pdf
R6004ENJ Nch 600V 4A Power MOSFET Data Sheet lOutline (2) VDSS 600V LPT(S) (SC-83) RDS(on) (Max.) 0.980W ID 4A (1) PD 40W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-fr
r6004enj.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor R6004ENJ FEATURES Drain Current I = 4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 980m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos
r6004end.pdf
R6004END Nch 600V 4A Power MOSFET Data Sheet lOutline (2) VDSS 600V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 0.980W ID 4A (1) (3) PD 20W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.
r6004enx.pdf
R6004ENX Nch 600V 4A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 600V TO-220FM RDS(on) (Max.) 980mW ID 4A (3) PD 40W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead pla
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History: JMSL0401BG | SUD50N10-34P | XP162A12A6PR-G | RF1S40N10 | 2SK2607 | OSG60R074HZF | SUP75N06-08
History: JMSL0401BG | SUD50N10-34P | XP162A12A6PR-G | RF1S40N10 | 2SK2607 | OSG60R074HZF | SUP75N06-08
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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