R6011ENJ Todos los transistores

 

R6011ENJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6011ENJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm

Encapsulados: SC-83

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R6011ENJ datasheet

 ..1. Size:750K  rohm
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R6011ENJ

R6011ENJ Nch 600V 11A Power MOSFET Data Sheet lOutline (2) VDSS 600V LPT(S) (SC-83) RDS(on) (Max.) 0.390W ID 11A (1) PD 40W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
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R6011ENJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6011ENJ FEATURES Drain Current I = 11A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 390m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 7.1. Size:792K  rohm
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R6011ENJ

R6011ENX Nch 600V 11A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 600V TO-220FM RDS(on) (Max.) 0.390W ID 11A (3) PD 40W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lea

 7.2. Size:252K  inchange semiconductor
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R6011ENJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6011ENX FEATURES Drain Current I = 11A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 390m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

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History: ET6314

 

 

 

 

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