R6030ENZ Todos los transistores

 

R6030ENZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6030ENZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: TO-3PF

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R6030ENZ datasheet

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R6030ENZ

R6030ENZ Nch 600V 30A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 600V TO-3PF RDS(on) (Max.) 0.130W ID 30A (1) (2) PD 120W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
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R6030ENZ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6030ENZ FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 130m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 0.1. Size:864K  rohm
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R6030ENZ

R6030ENZ1 Nch 600V 30A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 600V TO-247 RDS(on) (Max.) 0.130W ID 30A (3) PD 120W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lea

 0.2. Size:303K  inchange semiconductor
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R6030ENZ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6030ENZ1 FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 130m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

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