RF4E075AT Todos los transistores

 

RF4E075AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RF4E075AT
   Código: JT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0217 Ohm
   Paquete / Cubierta: HUML2020L8
     - Selección de transistores por parámetros

 

RF4E075AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2907K  rohm
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RF4E075AT

RF4E075ATDatasheetPch -30V -7.5A Middle Power MOSFETlOutlinel HUML2020L8VDSS-30VRDS(on)(Max.) 21.7mID 7.5APD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package(HUML2020L8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Hal

 8.1. Size:440K  rohm
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RF4E075AT

RF4E070GN Nch 30V 7A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V(5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)21.4mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 30.0mW(3) (7) ID7A(3) (2) PD (1) 2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (7)

 8.2. Size:427K  rohm
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RF4E075AT

RF4E070BN Nch 30V 7A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V (5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)28.6mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 40.0mW(3) (7) ID7A(3) (2) PD2.0W (1) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (7

 9.1. Size:440K  rohm
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RF4E075AT

RF4E080BN Nch 30V 8A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V(5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)17.6mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 24.6mW(3) (7) ID8A(3) (2) PD2.0W (1) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (

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History: ME2306BS-G

 

 
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