RF4E080BN Todos los transistores

 

RF4E080BN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RF4E080BN
   Código: HB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0176 Ohm
   Paquete / Cubierta: HUML2020L8
 

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RF4E080BN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  rohm
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RF4E080BN

RF4E080BN Nch 30V 8A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V(5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)17.6mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 24.6mW(3) (7) ID8A(3) (2) PD2.0W (1) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (

 7.1. Size:440K  rohm
 rf4e080gn.pdf pdf_icon

RF4E080BN

RF4E080GN Nch 30V 8A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V (5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)17.6mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 22.8mW(3) (7) ID8A(3) (2) PD2.0W (1) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (7

 9.1. Size:440K  rohm
 rf4e070gn.pdf pdf_icon

RF4E080BN

RF4E070GN Nch 30V 7A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V(5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)21.4mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 30.0mW(3) (7) ID7A(3) (2) PD (1) 2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (7)

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RF4E080BN

RF4E075ATDatasheetPch -30V -7.5A Middle Power MOSFETlOutlinel HUML2020L8VDSS-30VRDS(on)(Max.) 21.7mID 7.5APD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package(HUML2020L8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Hal

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History: SFG10S20GF | STB75NF75T4 | SFP12N65 | HRP85N08K | NP160N04TUK | SSFM2506 | RU5H5L

 

 
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