SIS413DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIS413DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 427 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0094 Ohm
Encapsulados: 1212-8
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SIS413DN datasheet
sis413dn.pdf
SiS413DN Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization 0.0094 at VGS = - 10 V - 18d - 30 35.4 nC For definitions of compliance please see 0.0132 at VGS = - 4.5 V - 18d www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS
sis414dn.pdf
New Product SiS414DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.016 at VGS = 4.5 V 20 TrenchFET Power MOSFET 30 8.2 nC 0.020 at VGS = 2.5 V 20 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/
sis412dn.pdf
New Product SiS412DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.024 at VGS = 10 V 12 100 % Rg Tested 30 3.8 nC 0.030 at VGS = 4.5 V 12 APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Notebook PC - System Power - Load Switch S D 3.30 mm
sis410dn.pdf
SiS410DN Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.0048 at VGS = 10 V 35 20 12.7 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0063 at VGS = 4.5 V 35 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS DC
Otros transistores... SIS334DN , SIS376DN , SIS402DN , SIS406DN , SIS407ADN , SIS407DN , SIS410DN , SIS412DN , AO4407 , SIS414DN , SIS424DN , SIS426DN , SIS427EDN , SIS429DNT , SIS430DN , SIS434DN , SIS435DNT .
History: STW3N150 | 2SK1297 | BM3416E | 2SK1202 | SWB065R68E7T | 4N60KL-TF3T-T | IRF7342D2PBF
History: STW3N150 | 2SK1297 | BM3416E | 2SK1202 | SWB065R68E7T | 4N60KL-TF3T-T | IRF7342D2PBF
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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