SIS434DN Todos los transistores

 

SIS434DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIS434DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0076 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8
 

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SIS434DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  vishay
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SIS434DN

SiS434DNVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0076 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET3540 12.5 nC 100 % Rg Tested0.0092 at VGS = 4.5 V 35 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212-8APPLICAT

 9.1. Size:152K  vishay
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SIS434DN

SiS439DNTwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)f Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAK Package 0.0110 at VGS = - 10 V - 50ewith Small Size and Low 0.75 mm Profile- 30 23 nC0.0195 at VGS= - 4.5 V - 43.5 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:

 9.2. Size:175K  vishay
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SIS434DN

SiS435DNTVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) Thin 0.8 mm max. height 100 % Rg and UIS Tested0.0054 at VGS = - 4.5V - 30a Material categorization:0.0060 at VGS = - 3.7 V - 30a- 20 57 nC For definitions of compliance please see 0.0083

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SIS434DN

New ProductSiS436DNVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0105 at VGS = 10 V TrenchFET Gen III Power MOSFET1625 6.7 nC 100 % Rg Tested0.013 at VGS = 4.5 V 16 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8APPLICATIONS DC/DC Conver

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