SIZ340DT Todos los transistores

 

SIZ340DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIZ340DT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.4 V

Carga de compuerta (Qg): 12.3 nC

Tiempo de elevación (tr): 55 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0095 Ohm

Empaquetado / Estuche: PowerPAIR3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIZ340DT

 

SIZ340DT Datasheet (PDF)

1.1. siz340dt.pdf Size:362K _update-mosfet

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SiZ340DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • PowerPAIR® Optimizes high-side and VDS (V) RDS(on) (Ω) MAX. ID (A) Qg (Typ.) low-side MOSFETs for synchronous buck 0.0095 at VGS = 10 V 30 a converters Channel-1 30 5.6 nC 0.0137 at VGS = 4.5 V 22 • TrenchFET® power Mosfets 0.0051 at VGS = 10 V • 100 % Rg and UIS tested

5.1. siz342dt.pdf Size:1261K _update-mosfet

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SiZ342DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • PowerPAIR® optimizes high-side and low-side VDS (V) RDS(on) (Ω) MAX. ID (A) Qg (Typ.) MOSFETs for synchronous buck converters Channel-1 0.0115 at VGS = 10 V 30 a • TrenchFET® Gen IV power MOSFETs and 30 4.5 nC 0.0153 at VGS = 4.5 V 27.5 Channel-2 • 100 % Rg and UIS tested

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