SIZ702DT Todos los transistores

 

SIZ702DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIZ702DT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAIR3X3.7
 

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SIZ702DT Datasheet (PDF)

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SIZ702DT

New ProductSiZ702DTVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFETsChannel-1 0.0120 at VGS = 10 V 16a 100 % Rg and UIS Testedand 30 6.8 nC0.0145 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC16aChannel-2

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SIZ702DT

New ProductSiZ704DTVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0240 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFETs12aChannel-1 30 3.8 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0300 at VGS = 4.5 V 12a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0135 at VGS = 1

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SIZ702DT

New ProductSiZ700DTVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0086 at VGS = 10 V 16a TrenchFET Power MOSFETsChannel-1 20 9.5 nC 100 % Rg Tested0.0108 at VGS = 4.5 V 16a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0058 at VGS = 10 V

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History: IRF7304Q

 

 
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