SIZ702DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIZ702DT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.9 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 13.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 14 nC

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 190 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.012 Ohm

Empaquetado / Estuche: PowerPAIR3X3.7

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIZ702DT

SIZ702DT Datasheet (PDF)

1.1. siz702dt.pdf Size:197K _update-mosfet

New Product SiZ702DT Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) Definition • TrenchFET® Power MOSFETs Channel-1 0.0120 at VGS = 10 V 16a • 100 % Rg and UIS Tested and 30 6.8 nC 0.0145 at VGS = 4.5 V • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 16a Channel-2

5.1. siz704dt.pdf Size:203K _update-mosfet

New Product SiZ704DT Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0240 at VGS = 10 V • TrenchFET® Power MOSFETs 12a Channel-1 30 3.8 nC • 100 % Rg and UIS Tested 0.0300 at VGS = 4.5 V 12a • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0135 at VGS = 1

5.2. siz704dt.pdf Size:155K _vishay