2SK2317 Todos los transistores

 

2SK2317 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2317
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TP
 

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2SK2317 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  sanyo
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2SK2317

Ordering number:ENN5058N-Channel Silicon MOSFET2SK2317Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2083B 2.5V drive.[2SK2317]6.52.35.00.540.850.71.20.60.51 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source2.3 2.3SANYO : TPunit:mm2092B[2SK2317]6.5 2.35.0 0.540.50.85

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2SK2317

2SK2313 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2313 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mmApplications 4-V gate drive Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 8 m (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 60 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 60 V) Enhancement mode :

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2SK2317

2SK2314 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2314 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mmApplications 4-V gate drive Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 66 m (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 16 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 100 V) Enhancement mode

 8.3. Size:423K  toshiba
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2SK2317

2SK2311 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2311 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Switching Unit: mm Regulator Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 36 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 16 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 60 V) DS En

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History: APM1105NU

 

 
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