2SK2636 Todos los transistores

 

2SK2636 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2636
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: ZP
 

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2SK2636 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  no
 2sk1871 2sk2153 2sk2164 2sk2321 2sk2432 2sk2435 2sk2436 2sk2438 2sk2439 2sk2626 2sk2634 2sk2635 2sk2636 2sk2637 2sk2773.pdf pdf_icon

2SK2636

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2SK2636

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 2sk2632ls.pdf pdf_icon

2SK2636

Ordering number:ENN5531BN-Channel Silicon MOSFET2SK2632LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Low Qg.2078B[2SK2632LS]4.510.02.83.20.91.21.20.70.751 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO220FI-LSSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Conditio

 8.3. Size:30K  sanyo
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2SK2636

Ordering number : ENN66002SK2631N-Channel Silicon MOSFET2SK2631Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance. unit : mm Smaller amount of total gate charge. 2083B[2SK2631]6.52.35.00.540.850.71.20.60.51 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source4 : Drain2.3 2.3SANYO : TPunit : mm2092B[2SK2631]6.5 2.35.0 0

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History: ED7509 | BRU24N50 | IRF7750 | CEB7030L | WMJ80N65F2 | SKH06100 | WST3407A

 

 
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