DG10N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DG10N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220 TO262
Búsqueda de reemplazo de DG10N60 MOSFET
DG10N60 Datasheet (PDF)
dg10n60.pdf

JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,LtdDG10N60N 201603-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET General DescriptionDG10N60N
Otros transistores... 2SK2592 , 2SK2619 , 2SK2626 , 2SK2634 , 2SK2635 , 2SK2636 , 2SK2637 , 2SK2773 , 2SK3568 , DG10N60-TO220F , FS1KM-18A , FW201 , FW202 , FW203 , FW206 , GP28S50XN220 , GP28S50XN220FP .
History: SSF4703 | SWI6N65K



Liste
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