FW202 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FW202
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de FW202 MOSFET
FW202 Datasheet (PDF)
fw202.pdf
Ordering number : EN5318AN-Channel Silicon MOSFETFW202Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Low ON resistanceunit: mm Ultrahigh-speed switching.2129-SOP8 Composite type with two 4V-drive N-channel MOSFETsfacilitating high-density mounting. [FW202] Matched pair capability.1 : Source12 : Gate13 : Source24 : Gate25 : Drain2
Otros transistores... 2SK2635 , 2SK2636 , 2SK2637 , 2SK2773 , DG10N60 , DG10N60-TO220F , FS1KM-18A , FW201 , 13N50 , FW203 , FW206 , GP28S50XN220 , GP28S50XN220FP , GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
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