GP28S50XN247 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP28S50XN247
Código: GP28S50X
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 227 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 28 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 40.7 nC
Tiempo de subida (tr): 104.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1766.7 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
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GP28S50XN247 Datasheet (PDF)
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GP28S50POWER FIELD EFFECT TRANSISTORGENERAL DESCRIPTION FEATURESThis high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Terminationscheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specifiedwithout degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to aadvanced MOSFET is designed to wi
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