SIZ900DT Todos los transistores

 

SIZ900DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIZ900DT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAIR6X5
 

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SIZ900DT Datasheet (PDF)

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SIZ900DT

New ProductSiZ900DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 DefinitionVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs0.0072 at VGS = 10 V 24a 100 % Rg and UIS TestedChannel-1 30 13.5 nC0.0092 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC24aAPPLICATIO

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SIZ900DT

New ProductSiZ902DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 DefinitionVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs0.0120 at VGS = 10 V 16a 100 % Rg and UIS TestedChannel-1 30 6.8 nC0.0145 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC16aAPPL

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SIZ900DT

New ProductSiZ904DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition0.024 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFETs12aChannel-1 30 3.8 nC 100 % Rg and UIS Tested0.030 at VGS = 4.5 V 12a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0135 at

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History: 2SK1347 | AP3310GH | STB100N6F7 | BSP030 | SWU12N70D | STF34NM60N | SWD7N65DA

 

 
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