SIZ914DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIZ914DT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0064 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAIR6X5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIZ914DT

SIZ914DT Datasheet (PDF)

..1. Size:199K vishay
siz914dt.pdf

SiZ914DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.00640 at VGS = 10 V 16aChannel-1 30 7.2 nCFor definitions of compliance please see 0.01000 at VGS = 4.5 V 16awww.vishay.com/doc?999120.00137 at

9.1. Size:205K vishay
siz910dt.pdf

New ProductSiZ910DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFETs0.0058 at VGS = 10 V 40a 100 % Rg and UIS TestedChannel-1 30 12.5 nC0.0075 at VGS = 4.5 V 40a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.

9.2. Size:217K vishay
siz918dt.pdf

New ProductSiZ918DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.0120 at VGS = 10 V 16aFor definitions of compliance please seeChannel-1 30 6.8 nC0.0145 at VGS = 4.5 V www.vishay.com/doc?9991216a0.0037 at V

9.3. Size:209K vishay
siz916dt.pdf

New ProductSiZ916DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.0064 at VGS = 10 V 16aChannel-1 30 7.2 nCFor definitions of compliance please see 0.0100 at VGS = 4.5 V 16awww.vishay.com/doc?999

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Liste

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