SK860319 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SK860319
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSO8-F4-B

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SK860319

SK860319 Datasheet (PDF)

..1. Size:348K panasonic
sk860319.pdf

Doc No. TT4-EA-14211Revision. 4Product StandardsMOS FETSK8603190LSK8603190LSilicon N-channel MOS FETUnit : mm 5.1For Load-switching / For DC-DC Converter4.9 0.228 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ = 10 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3 40.4 1.0 Mar

7.1. Size:367K panasonic
sk860314.pdf

Doc No. TT4-EA-14461Revision. 3Product StandardsMOS FETSK8603140LSK8603140LSilicon N-channel MOS FETUnit : mm 5.1For Load-switching / For DC-DC Converter4.9 0.228 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ = 1.8 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3 40.4 1.0 Ma

7.2. Size:344K panasonic
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Doc No. TT4-EA-14213Revision. 3Product StandardsMOS FETSK8603150LSK8603150LSilicon N-channel MOS FETUnit : mm 5.1For Load-switching / For DC-DC Converter4.9 0.228 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ = 2.5 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3 40.4 1.0 Ma

7.3. Size:371K panasonic
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Doc No. TT4-EA-14216Revision. 3Product StandardsMOS FETSK8603180LSK8603180LSilicon N-channel MOSFETUnit : mm 5.1For Load-switching / For DC-DC Converter4.9 0.228 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ = 6.7 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3 40.4 1.0 Mar

7.4. Size:345K panasonic
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Doc No. TT4-EA-14462Revision. 3Product StandardsMOS FETSK8603160LSK8603160LSilicon N-channel MOS FETUnit : mm 5.1For Load-switching / For DC-DC Converter4.9 0.228 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ = 3.3 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3 40.4 1.0 Ma

7.5. Size:370K panasonic
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Doc No. TT4-EA-14480Revision. 2Product StandardsMOS FETSK8603170LSK8603170LSilicon N-channel MOS FETUnit : mm 5.1For Load-switching / For DC-DC Converter4.9 0.228 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on)typ = 3.9 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3 40.4 1.0 Mar

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: