SKI03087 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKI03087
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 52 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 40 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 16 nC
Tiempo de elevación (tr): 3.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 265 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0094 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SKI03087
SKI03087 Datasheet (PDF)
1.1. ski03087.pdf 
Size:235K _update-mosfet
30 V, 40 A, 7.6 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI03087 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 µA) ID ---------------------------------------------------------- 40 A (4) D RDS(ON) ---------- 9.4 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 31.5 A) Qg ------- 7.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 31.5 A) Low Total Gat
4.1. ski03021.pdf Size:235K _update-mosfet
30 V, 85 A, 2.1 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI03021 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 µA) ID ---------------------------------------------------------- 85 A (4) D RDS(ON) ----------- 2.6 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 110A) Qg ------ 42.3 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 110 A) Low Total Gate
4.2. ski03036.pdf Size:235K _update-mosfet
30 V, 80 A, 3.2 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI03036 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 µA) ID ---------------------------------------------------------- 80 A (4) D RDS(ON) ---------- 3.9 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 57.0 A) Qg ------16.5 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 57.0 A) Low Total Gate
4.3. ski03063.pdf Size:235K _update-mosfet
30 V, 40 A, 5.5 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI03063 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 µA) ID ---------------------------------------------------------- 40 A (4) D RDS(ON) ---------- 6.8 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 39.5 A) Qg ------- 9.3 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 39.5 A) Low Total Gat
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
