SKI03087 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKI03087
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0094 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de SKI03087 MOSFET
SKI03087 Datasheet (PDF)
ski03087.pdf

30 V, 40 A, 7.6 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI03087 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 40 A (4) D RDS(ON) ---------- 9.4 m max. (VGS = 10 V, ID = 31.5 A) Qg ------- 7.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 31.5 A) Low Total Gat
ski03021.pdf

30 V, 85 A, 2.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI03021 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 85 A (4) D RDS(ON) ----------- 2.6 m max. (VGS = 10 V, ID = 110A) Qg ------ 42.3 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 110 A) Low Total Gate
ski03036.pdf

30 V, 80 A, 3.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI03036 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 80 A (4) D RDS(ON) ---------- 3.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 57.0 A) Qg ------16.5 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 57.0 A) Low Total Gate
ski03063.pdf

30 V, 40 A, 5.5 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI03063 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 40 A (4) D RDS(ON) ---------- 6.8 m max. (VGS = 10 V, ID = 39.5 A) Qg ------- 9.3 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 39.5 A) Low Total Gat
Otros transistores... SK860317 , SK860318 , SK860319 , SK860330 , SKH06100 , SKI03021 , SKI03036 , SKI03063 , EMB04N03H , SKI04024 , SKI04033 , SKI04044 , SKI06048 , SKI06073 , SKI06106 , SKI07074 , SKI07114 .
History: FQA13N80-F109 | HFU630 | AOCA32112E
History: FQA13N80-F109 | HFU630 | AOCA32112E



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet