FTP540 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTP540
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 128 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 33 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 48 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 511 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTP540
FTP540 Datasheet (PDF)
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FTP540 N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Pb H F Halogen Free Applications: VDSS RDS(on)(Max) ID Automotive DC Motor Control 100V 48m 33A Class D Amplifier Features: D RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve G Inductive Switching Curves GDSOrdering Information S
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FTP540www.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.032 at VGS = 10 V45RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V40COMPLIANTDTO-220AB GSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle
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