RU7588R3 Todos los transistores

 

RU7588R3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU7588R3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220S
 

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RU7588R3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  ruichips
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RU7588R3

RU7588R3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 80V/80A,Insulation Slug RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Insulation Slug(VISO1500VAC) Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedF t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureS Lead Free and Green

 9.1. Size:294K  ruichips
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RU7588R3

RU7580RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/80A,RDS (ON) =8m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Motor ControlN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Rat

 9.2. Size:277K  ruichips
 ru7582s.pdf pdf_icon

RU7588R3

RU7582SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/82A,RDS (ON) =7.5m(tpy.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-263(RoHS Compliant)Applications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParame

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History: WMN53N60F2 | SQM120N04-04 | SIRA00DP | IRF7503 | IRFR9010PBF | ME200N04T | IRF3704Z

 

 
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