RU7588R3 Todos los transistores

 

RU7588R3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU7588R3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO220S

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RU7588R3 datasheet

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RU7588R3

RU7588R3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 80V/80A, Insulation Slug RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V Insulation Slug(VISO 1500VAC) Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated F t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature S Lead Free and Green

 9.1. Size:294K  ruichips
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RU7588R3

RU7580R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 75V/80A, RDS (ON) =8m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Motor Control N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Rat

 9.2. Size:277K  ruichips
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RU7588R3

RU7582S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 75V/82A, RDS (ON) =7.5m (tpy.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-263 (RoHS Compliant) Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parame

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