SWP630 Todos los transistores

 

SWP630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWP630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWP630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:742K  samwin
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SWP630

SAMWIN SW630N-channel MOSFETTO-220F TO-220 TO-252FeaturesBVDSS : 200V High ruggednessID : 10A RDS(ON) (Max 0.4 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 20nC)RDS(ON) : 0.4ohm1 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 132 23 321. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description1This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMW

 0.1. Size:764K  samwin
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SWP630

SW630D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-220 TO-252 BVDSS : 200V High ruggedness ID : 9A Low RDS(ON) (Typ 0.27)@VGS=10V RDS(ON) : 0.27 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Synchronous Rectification, 3 3 DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 G

 0.2. Size:581K  samwin
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SWP630

SW630A1 N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET TO-220 BVDSS : 200V Features ID : 10A High ruggedness RDS(ON) : 0.34 Low RDS(ON) (Typ 0.34)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

 0.3. Size:780K  samwin
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SWP630

SW630D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-220 TO-252 BVDSS : 200V High ruggedness ID : 9A Low RDS(ON) (Typ 0.27)@VGS=10V RDS(ON) : 0.27 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Synchronous Rectification, 3 3 DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 G

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History: STB24N60M2 | IRFP353R | IXTT360N055T2

 

 
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