2SK1286 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1286 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Encapsulados: TO220F
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2SK1286 datasheet
2sk1283.pdf
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK1283 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET PACKAGE DRAWING (Unit mm) DESCRIPTION The 2SK1283 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed or 8.5 MAX. solenoid, motor and lamp driver. 3.2 0.2 2.8 MAX. FEATURES Low on-state resistance RDS(on) = 0.18 MAX. (VGS = 10 V, ID = 2 A) RDS(on) = 0.24 MAX. (VGS = 4 V, ID = 2
Otros transistores... 2SK1271, 2SK1272, 2SK1273, 2SK1274, 2SK1282, 2SK1283, 2SK1284, 2SK1285, 12N60, 2SK1287, 2SK1288, 2SK1289, 2SK1290, 2SK1292, 2SK1293, 2SK1294, 2SK1295
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
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