APM3009NG Todos los transistores

 

APM3009NG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APM3009NG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO263

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APM3009NG datasheet

 6.1. Size:723K  anpec
apm3009n.pdf pdf_icon

APM3009NG

APM3009N N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/70A , RDS(ON)=7m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=11m (typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Advanced Cell Design for Extremely Low RDS(ON) Reliable and Rugged 1 2 3 TO-220 , TO-252 and TO-263 Packages G D S Applications Top View of TO-220, TO

 6.2. Size:845K  cn vbsemi
apm3009nuc.pdf pdf_icon

APM3009NG

APM3009NUC www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.005 at VGS = 10 V 80 30 31 nC 0.006 at VGS = 4.5 V 68 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSO

 9.1. Size:184K  anpec
apm3095pu.pdf pdf_icon

APM3009NG

APM3095PU P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -30V/-8A, RDS(ON)=95m (typ.) @ VGS=-10V G D RDS(ON)=140m (typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design S Reliable and Rugged Top View of TO-252 Lead Free Available (RoHS Compliant) S Applications Power Management in Desktop Computer or G DC/DC Converters D P-Channel MOSFET Ordering and

 9.2. Size:212K  anpec
apm3023n.pdf pdf_icon

APM3009NG

APM3023N N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/30A, RDS(ON)=15m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=22m (typ.) @ VGS=5V Super High Dense Cell Design 1 2 3 1 2 3 High Power and Current Handling Capability G D S TO-252.TO-220 and SOT-223 Packages G D S Top View of SOT-223 Top View of TO-25

Otros transistores... US6K4, US6M1, US6M11, US6M2, US6U37, AM4437P, AON6718L, APM3009NF, IRFP250N, APM3009NU, APM3023NU, APM3023NV, APM3023NF, SI4834BDY, SI4856DY, SSM60T03H, SSM60T03J

 

 

 


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