EFC6601R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EFC6601R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 630 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: EFCP2718

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EFC6601R datasheet

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EFC6601R

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EFC6601R

Ordering number ENA2302 EFC6605R N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 20V, 10A, 13.3m , Dual EFCP Features 2.5V drive Common-drain type Protection diode in 2KV ESD HBM Halogen free compliance Applications Lithium-ion battery charging and discharging switch Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions V

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EFC6601R

Ordering number ENA2204A EFC6604R N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 12V, 13A, 9.0m , Dual EFCP Features 2.5V drive Protection diode in Common-drain type Halogen free compliance 2KV ESD HBM Applications Lithium-ion battery charging and discharging switch Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions R

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EFC6601R

Ordering number ENA2152A EFC6602R N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 12V, 18A, 5.9m , Dual EFCP Features 2.5V drive Protection diode in Common-drain type Halogen free compliance 2KV ESD HBM Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Source-to-Source Voltage VSSS 12 V Gate-to-Source Voltage VGSS

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