ELM14406AA Todos los transistores

 

ELM14406AA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM14406AA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 201 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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ELM14406AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  elm
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ELM14406AA

Single N-channel MOSFETELM14406AA-NGeneral description Features ELM14406AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=11.5A (Vgs=10V)resistance. Rds(on)

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ELM14406AA

Single P-channel MOSFETELM14409AA-NGeneral description Features ELM14409AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-15A (Vgs=-10V)resistance. Rds(on)

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ELM14406AA

Single N-channel MOSFETELM14408AA-NGeneral description Features ELM14408AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A (Vgs=10V)resistance. Rds(on)

 7.3. Size:409K  elm
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ELM14406AA

Single P-channel MOSFETELM14407AA-NGeneral description Features ELM14407AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-12A (Vgs=-20V)resistance. Rds(on)

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History: IXZR18N50A | IRFS7440PBF | QM3303S | RJK0632JPD

 

 
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