ELM14411AA MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

ELM14411AA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM14411AA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de ELM14411AA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

ELM14411AA datasheet

..1. Size:410K elm
elm14411aa.pdf pdf_icon

Single P-channel MOSFET ELM14411AA-N General description Features ELM14411AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-8A (Vgs=-10V) resistance. Rds(on)

7.1. Size:394K elm
elm14419aa.pdf pdf_icon

Single P-channel MOSFET ELM14419AA-N General description Features ELM14419AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-9.7A (Vgs=-10V) resistance. Rds(on)

7.2. Size:434K elm
elm14418aa.pdf pdf_icon

Single N-channel MOSFET ELM14418AA-N General description Features ELM14418AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=11.5A (Vgs=20V) resistance. Rds(on)

8.1. Size:414K elm
elm14409aa.pdf pdf_icon

Single P-channel MOSFET ELM14409AA-N General description Features ELM14409AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-15A (Vgs=-10V) resistance. Rds(on)