ELM14466AA MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

ELM14466AA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM14466AA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

ELM14466AA datasheet

..1. Size:399K elm
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Single N-channel MOSFET ELM14466AA-N General description Features ELM14466AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=9.4A (Vgs=10V) resistance. Rds(on)

7.1. Size:401K elm
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Single N-channel MOSFET ELM14468AA-N General description Features ELM14468AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=11.6A (Vgs=10V) resistance. Rds(on)

8.1. Size:414K elm
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Single P-channel MOSFET ELM14409AA-N General description Features ELM14409AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-15A (Vgs=-10V) resistance. Rds(on)

8.2. Size:458K elm
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Single N-channel MOSFET ELM14430AA-N General description Features ELM14430AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=18A (Vgs=10V) resistance. Rds(on)