ELM16409EA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM16409EA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SOT-26

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ELM16409EA datasheet

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ELM16409EA

Single P-channel MOSFET ELM16409EA-S General description Features ELM16409EA-S uses advanced trench technology Vds=-20V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=-5A (Vgs=-4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

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ELM16409EA

Single P-channel MOSFET ELM16405EA-S General description Features ELM16405EA-S uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-5A (Vgs=-10V) resistance. Rds(on)

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ELM16409EA

Single N-channel MOSFET ELM16408EA-S General description Features ELM16408EA-S uses advanced trench technology Vds=20V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=8.8A (Vgs=10V) operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

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ELM16409EA

Single P-channel MOSFET ELM16401EA-S General description Features ELM16401EA-S uses advanced trench technology Vds=-30V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=-5A (Vgs=-10V) operation with gate voltages as low as 2.5V. Rds(on)

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