ELM18810BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM18810BA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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ELM18810BA datasheet

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ELM18810BA

(common drain) Dual N-channel MOSFET ELM18810BA-S General description Features ELM18810BA-S uses advanced trench technology Vds=20V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=7A (Vgs=4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

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ELM18810BA

(common drain) Dual N-channel MOSFET ELM18814BA-S General description Features ELM18814BA-S uses advanced trench technology Vds=20V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=7.5A (Vgs=10V) operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

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ELM18810BA

Dual P-channel MOSFET ELM18801BA-S General description Features ELM18801BA-S uses advanced trench technology to Vds=-20V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Internal Id=-4.7A (Vgs=-4.5V) ESD protection is included. Rds(on)

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ELM18810BA

(common drain) Dual N-channel MOSFET ELM18822BA-S General description Features ELM18822BA-S uses advanced trench technology to Vds=20V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=7A (Vgs=10V) Rds(on)

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