ELM32403LA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM32403LA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Encapsulados: TO-252
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ELM32403LA datasheet
elm32403la.pdf
Single P-channel MOSFET ELM32403LA-S General description Features ELM32403LA-S uses advanced trench technology to Vds=-40V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-8A resistance. Rds(on)
elm32404la.pdf
Single N-channel MOSFET ELM32404LA-S General description Features ELM32404LA-S uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A resistance. Rds(on)
elm32409la-s.pdf
Single P-channel MOSFET ELM32409LA-S General description Features ELM32409LA-S uses advanced trench technology to Vds=-40V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-10A resistance. Rds(on)
elm32408la.pdf
Single N-channel MOSFET ELM32408LA-S General description Features ELM32408LA-S uses advanced trench technology to Vds=40V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=10A resistance. Rds(on)
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History: NVD5865NL | SI4405DY-T1 | 2SK3874-01R
History: NVD5865NL | SI4405DY-T1 | 2SK3874-01R
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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