ELM32409LA-S Todos los transistores

 

ELM32409LA-S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM32409LA-S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm

Encapsulados: TO-252

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ELM32409LA-S datasheet

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ELM32409LA-S

Single P-channel MOSFET ELM32409LA-S General description Features ELM32409LA-S uses advanced trench technology to Vds=-40V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-10A resistance. Rds(on)

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ELM32409LA-S

Single P-channel MOSFET ELM32403LA-S General description Features ELM32403LA-S uses advanced trench technology to Vds=-40V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-8A resistance. Rds(on)

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ELM32409LA-S

Single N-channel MOSFET ELM32404LA-S General description Features ELM32404LA-S uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A resistance. Rds(on)

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ELM32409LA-S

Single N-channel MOSFET ELM32408LA-S General description Features ELM32408LA-S uses advanced trench technology to Vds=40V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=10A resistance. Rds(on)

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History: ME2333-G

 

 

 

 

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