ELM32418LA Todos los transistores

 

ELM32418LA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM32418LA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

ELM32418LA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  elm
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ELM32418LA

Single N-channel MOSFETELM32418LA-SGeneral description Features ELM32418LA-S uses advanced trench technology to Vds=40Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=20A resistance. Rds(on)

 7.1. Size:452K  elm
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ELM32418LA

Single N-channel MOSFETELM32414LA-SGeneral description Features ELM32414LA-S uses advanced trench technology to Vds=25Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=35A resistance. Rds(on)

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ELM32418LA

Single N-channel MOSFETELM32416LA-SGeneral description Features ELM32416LA-S uses advanced trench technology to Vds=25Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=46A resistance. Rds(on)

 7.3. Size:473K  elm
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ELM32418LA

Single N-channel MOSFETELM32412LA-SGeneral description Features ELM32412LA-S uses advanced trench technology to Vds=40Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A resistance. Rds(on)

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History: 7NM70G-TN3-R | AP4P013LES

 

 
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