ELM32420LA Todos los transistores

 

ELM32420LA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM32420LA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO-252

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ELM32420LA datasheet

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ELM32420LA

Single N-channel MOSFET ELM32420LA-S General description Features ELM32420LA-S uses advanced trench technology to Vds=20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=45A resistance. Rds(on)

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ELM32420LA

Single N-channel MOSFET ELM32424LA-S General description Features ELM32424LA-S uses advanced trench technology to Vds=25V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=50A resistance. Rds(on)

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ELM32420LA

Single N-channel MOSFET ELM32428LA-S General description Features ELM32428LA-S uses advanced trench technology to Vds=25V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=75A resistance. Rds(on)

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ELM32420LA

Single N-channel MOSFET ELM32422LA-S General description Features ELM32422LA-S uses advanced trench technology to Vds=25V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=60A resistance. Rds(on)

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History: IRF7478TR | AOD2904 | AUIRF7343Q | NTD4904N | FHU5N60A | AGM612MNA | FX20VSJ-3

 

 

 

 

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