ELM32420LA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM32420LA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.25 VQgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
ELM32420LA Datasheet (PDF)
elm32420la.pdf

Single N-channel MOSFETELM32420LA-SGeneral description Features ELM32420LA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=45A resistance. Rds(on)
elm32424la.pdf

Single N-channel MOSFETELM32424LA-SGeneral description Features ELM32424LA-S uses advanced trench technology to Vds=25Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=50A resistance. Rds(on)
elm32428la.pdf

Single N-channel MOSFETELM32428LA-SGeneral description Features ELM32428LA-S uses advanced trench technology to Vds=25Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=75A resistance. Rds(on)
elm32422la.pdf

Single N-channel MOSFETELM32422LA-SGeneral description Features ELM32422LA-S uses advanced trench technology to Vds=25Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=60A resistance. Rds(on)
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History: WMJ26N65C4 | LSG60R1K4HT
History: WMJ26N65C4 | LSG60R1K4HT



Liste
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