ELM33410CA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ELM33410CA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM33410CA

ELM33410CA Datasheet (PDF)

..1. Size:485K elm
elm33410ca.pdf

Single N-channel MOSFETELM33410CA-SGeneral description Features ELM33410CA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=5A resistance. Rds(on)

7.1. Size:423K elm
elm33412ca.pdf

Single N-channel MOSFETELM33412CA-SGeneral description Features ELM33412CA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6A resistance. Rds(on)

7.2. Size:398K elm
elm33414ca.pdf

Single N-channel MOSFETELM33414CA-SGeneral description Features ELM33414CA-S uses advanced trench technology Vds=60Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=300mA operation with gate voltages as low as 3.5V and internal Rds(on)

7.3. Size:1575K elm
elm33416ca.pdf

Single N-channel MOSFETELM33416CA-SGeneral description Features ELM33416CA-S uses advanced trench technology to Vds=100Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.3A resistance. Rds(on)

7.4. Size:610K elm
elm33411ca.pdf

Single P-channel MOSFETELM33411CA-SGeneral description Features ELM33411CA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3A resistance. Rds(on)

7.5. Size:355K elm
elm33415ca.pdf

Single P-channel MOSFETELM33415CA-SGeneral description Features ELM33415CA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3.5A resistance. Rds(on)

7.6. Size:486K elm
elm33413ca.pdf

Single P-channel MOSFETELM33413CA-SGeneral description Features ELM33413CA-S uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-4A resistance. Rds(on)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: