APM2054ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APM2054ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM2054ND

APM2054ND Datasheet (PDF)

0.1. Size:1441K cn vbsemi
apm2054ndc.pdf

APM2054NDCwww.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = 4.5 V 6.8RoHS30 10 nC COMPLIANTAPPLICATIONS0.027 at VGS = 2.5 V 6.0 Load Switches for Portable DevicesDDGSG D SN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwis

6.1. Size:355K anpec
apm2054n.pdf

APM2054N N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/12A, RDS(ON)=35m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=45m(typ.) @ VGS=4.5VRDS(ON)=110m(typ.) @ VGS=2.5V1 2 31 2 3 Super High Dense Cell Design High Power and Current Handling Capability G D SG D S TO-252, SOT-89 and SOT-223 Packages To

8.1. Size:519K sino
apm2055nu.pdf

APM2055NU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/10A,D RDS(ON)=55m (Typ.) @ VGS=10VS RDS(ON)=75m (Typ.) @ VGS=4.5VG RDS(ON)=140m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell DesignTop View of TO-252 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableD (RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in Desktop Computer o

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History: FDA33N25

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: